محاسبه ساختار نوار کریستالهای فتونیکی دو بعدی و طراحی فیلترهای گاف نواری فتونیکی

thesis
abstract

کریستالهای فتونیکی یک بعدی رده جدیدی از مواد اپتیکی با مدولاسیون دوره ای در ثابت دی الکتریک می باشند. این مواد مصنوعی گستره ای از بسامدهای ممنوعه را بوجود می آورند که انتشار امواج الکترومغناطیسی در آن گستره کاملا ممنوع است که این گستره بسامد ممنوعه گاف نواری نامیده می شود. این ویژگی خاص از کریستالهای فتونیکی بطرز چشمگیری شارش نور را تغییر داده و با دستکاری فوتونها به کاربردهای بالقوه ای در زمینه اپتیک منجر می شود. در این پایان نامه، با استفاده از ثابت دی الکتریک دوره ای و روش بسط موج تخت، ساختار باند شبکه های مثلثی و مربعی محاسبه می شود. برای این منظور، ساختاری شامل آرایش منظم و دوره ای از استوانه های دی الکتریک موازی با سطح مقطع دایره ای در نظر گرفته شده است. ما دریافتیم که گاف های کامل به ازای قطبش های s و p در ساختار باند پدیدار می شوند. وابستگی پهنای گاف ها به نسبت ثابت دی الکتریک استوانه ها به محیط اطراف و کسر حجمی بررسی شده و در دو شبکه مقایسه گردیده است. همچنین با استفاده از ماتریس انتقال، خصوصیات بازتابی ساختار فتونیکی دوره ای یک بعدی بررسی و بازتابش چند جانبه ساختار یک بعدی شامل فیلم های متناوب مطالعه شده است. ساختارهای متفاوتی متشکل از لایه های مختلف بررسی شده و ساختاری با 100% انعکاس برای گستره وسیعی از طول موجها پیشنهاد شده است.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

محاسبه ساختار نواری، ضرایب جذب و تراگسیل بلورهای فونونی یک- و دو-بعدی

در این مقاله، ما انتشار امواج صوتی در بلورهای فونونی یک-بعدی و دو-بعدی را بررسی کرده‌ایم. بلورهای فونونی متشکل از ردیف‌های مربعی شامل استوانه‌های مملو از فلزات گروه سوم جدول تناوبی برای مثال آلومنیوم و نیکل در زمینۀ هوا و اپوکسی می­باشند. ابتدا با استفاده از روش بسط امواج تخت ساختار نواری این بلورها را محاسبه نمودیم، سپس ضرایب جذب و تراگسیل و بعلاوه توزیع فشار در آن‌ها را تعیین کردیم. اندازه اب...

full text

ساختار نواری و تابش گرمایی بلور فوتونیکی دو بعدی سیلیکونی

In this research, we have studied the photonic band structure, optical properties and thermal emission spectrum of 2D Silicon photonic crystal with hexagonal structure. The band structure, band gap map and the gap size versus radius have been calculated by plane wave expansion method. The maximum band gap size of TE (TM) polarization and the complete gap size are 51% (20%) and 17% at air hole r...

full text

کنترل نوار عبوری در گاف نواری در بلورهای فوتونیک یک بعدی ناخالص

در این تحقیق، ویژگی مدهای نقص ظاهر شده در طیف تراگسیل ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی با یک لایه ی نقص و همچنین موقعیت ناحیه گاف نوار فوتونی در ساختار بلورهای فوتونیک یک بعدی ایده ال مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار بلورهای فوتونیک برای دو حالت متقارن و پاد متقارن بررسی می شود.سیستمی که در این تحقیق در نظر گرفته می شود، سیستمی دو لایه ای از سیلیکون / هوا است، ضریب شکست سیلیکون به عنوان تابعی از...

15 صفحه اول

بررسی گاف کامل فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی پلاسمایی

: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023